Исследуются физические условия возникновения и развития различных типов плазменных неустойчивостей в петлях на начальной стадии вспышечного процесса. Главной причиной неустойчивости является совокупное действие трех факторов: наличие в петле крупномасштабного квазистатического электрического поля, учет влияния парных кулоновских столкновений и неоднородностей температуры и плотности плазмы. В качестве модели вспышки используется модель взаимодействующих магнитных потоков Хейвартса – Приста – Раста и модель токонесущего эквивалентного контура петли Степанова – Зайцева. Вспышечной процесс начинается с появления первой неустойчивости, которая  имеет низкий порог возбуждения, а его начальная стадия заканчивается с появлением в плазме аномального сопротивления и возникновением токовых слоев. Показано, что адиабатически медленному росту амплитуды субдрейсеровского электрического поля в петле соответствует определенная последовательность появления на различных участках токового контура определенного типа неустойчивостей. Полученные результаты можно рассматривать как необходимое условие краткосрочного прогноза вспышки в петельной структуре.